恩智浦半导体
74HC02 ; 74HCT02
四路2输入NOR门
表7中。
动态特性
GND = 0 V ;
L
= 50 pF的;对于负载电路见
图7 。
符号参数
条件
民
74HCT02
t
pd
传播延迟呐， NB到纽约;看
图6
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
t
t
C
PD
转换时间
功耗
电容
V
CC
= 4.5 V ;看
图6
每包;
V
I
= GND到V
CC
1.5 V
[2]
[3]
[1]
25
C
典型值
最大
40 C
+125
C
单位
最大
(85
C)
最大
(125
C)
-
-
-
-
11
9
7
24
19
-
15
-
24
-
19
-
29
-
22
-
ns
ns
ns
pF
[1]
[2]
[3]
t
pd
是相同为T
PHL
和T
PLH
.
t
t
是相同为T
THL
和T
TLH
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
N +
(C
L
V
CC2
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
(C
L
V
CC2
f
o
） =产出的总和。
11.波形
V
I
呐， NB输入
GND
t
PHL
V
OH
纽约输出
V
OL
t
THL
V
Y
V
M
V
X
t
TLH
001aai814
V
M
t
PLH
在测量点中给出
表9 。
V
OL
和V
OH
是随输出负载所发生的典型的电压输出电平。
图6 。
表8 。
TYPE
74HC02
74HCT02
输入到输出的传播延迟
测量点
输入
V
M
0.5V
CC
1.3 V
产量
V
M
0.5V
CC
1.3 V
V
X
0.1V
CC
0.1V
CC
V
Y
0.9V
CC
0.9V
CC
74HC_HCT02
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第4版 - 2012年9月4日
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