位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1891页 > ADuM6010ARSZ-RL7 > ADuM6010ARSZ-RL7 PDF资料 > ADuM6010ARSZ-RL7 PDF资料1第12页
ADuM6010
数据表
功率有效地以及以设置输出电压和
绕过核心电压调节器（参见图16 ，通过
图18）。
PDIS
8
应用信息
的直流到直流转换器部
ADuM6010
工程
这适用于大多数现代电源原理。
它具有分离控制器架构与隔离脉宽
调制（ PWM ）反馈。 V
DDP
电力被提供给一个
振荡电路切换到一个芯片级空芯电流
变压器。动力传递到二次侧的整流
和调节，以3.15 V和5.25 V之间的值取决于
上由外部电压分压器供给的设定值（见
方程1） 。二级（V
ISO
）侧控制器调节
通过创建一个PWM控制信号被发送到输出
初级（V
DDP
通过一个专用的）侧
iCoupler隔离器
数据信道。该
的PWM调制振荡器电路，以控制功率感
发送到次级侧。反馈允许显著高于
功率和效率。
V
DDP
10F
+
GND
P
0.1F
9
10
11043-013
图16. V
DDP
偏置和旁路组件
13
12
11
V
SEL
V
ISO
30k
V
ISO
=
1.25 V
(
R1
+
R2
)
R1
0.1F
10k
10F
(1)
图17. V
ISO
偏置和旁路组件
其中：
R1
为V之间的电阻器
SEL
和GND
ISO
.
R2
为V之间的电阻器
SEL
和V
ISO
.
因为输出电压可连续调节
有操作条件无限数目。这
数据表中涉及的三个离散的操作条件
产品规格表。输入的许多其它组合和
输出电压是可能的;图13示出了支持
电压的组合在室温下。图13是
通过固定V产生
ISO
负载和减小输入
电压直到PWM是在80 ％的占空比。每个
曲线表示所需要的最小输入电压
根据这一标准操作。例如，如果应用程序
化要求的输出电流为30 mA在5 V ，最小
输入电压V
DDP
为4.25 V.图13也说明了为什么
在V
DDP
= 3.3 V输入和V
ISO
= 5 V配置不
推荐使用。即使在输出电流为10mA时，PWM
不能保持小于80 ％的占空因数，不留余量
以支持负载或温度变化。
典型地，该
ADuM6010
消耗约17 ％的电量
间室温度与最高温度; there-
前，在20％的PWM缘覆盖的温度变化。
该
ADuM6010
实现了欠压锁定（ UVLO ）
与滞后的初级和次级侧的I / O引脚
以及在V
DDP
电源输入。此功能可确保
转换器不会进入振荡，由于噪声输入功率
或慢上电斜坡率。
的电源部分
ADuM6010
采用了125 MHz的
振荡器的频率能够有效地通过其芯片级功率传递
级变压器。旁路电容必须做的不止一个
工作，必须慎重选择。噪声抑制需要一个
低电感，高频电容;纹波抑制
和适当的调整则需要一个大的值的大容量电容。
这些电容器被最方便地连接在
引脚9与引脚10为V
DDP
和引脚11和引脚12 V之间
ISO
.
为了抑制噪声并减小纹波，在并联组合
至少两个电容器是必要的。推荐的电容
值是0.1 μF至10 μF的V
DD1
。较小的电容
必须具有低ESR ;例如，使用NPO或X5R陶瓷
电容建议。陶瓷电容也建议
10 μF的大容量电容。另外一个10 nF的电容可以
并行添加，如果进一步的EMI / EMC控制的需要。
需要注意的是，具有低ESR的端部之间的总导线长度
电容器与所述输入电源引脚必须不超过2毫米。
GND
P
GND
ISO
ADuM6010
PDIS
V
DDP
GND
P
BYPASS < 2毫米
V
SEL
V
ISO
11043-015
11043-014
GND
ISO
+
GND
ISO
PCB布局
该
ADuM6010
数字隔离器，具有0.15 W
isoPower技术
集成
的DC- DC转换器，不需要外部接口电路
为逻辑接口。电源采用低ESR旁路
电容器需要尽可能接近芯片焊盘越好。该
isoPower技术
输入需要几个无源器件绕过
图18.推荐的PCB布局
在具有高共模瞬变的应用中，设计
电路板布局，使得任何不耦合发生同样
影响对给定器件侧所有的引脚。如果不能保证这一点可以
造成引脚间的电压差，超过绝对
在表13中规定的最大额定值，并且由此导致
闩锁和/或永久性的损坏。
版本A |第12页16
