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ADS41B29
ADS41B49
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SBAS486E - 2009年11月 - 修订2012年7月
推荐工作条件
ADS41B29 , ADS41B49
民
耗材
AVDD
AVDD_BUF
DRVDD
模拟电源电压
模拟缓冲器的电源电压
数字电源电压
1.7
3
1.7
1.8
3.3
1.8
1.9
3.6
1.9
V
V
V
典型值
最大
单位
模拟输入
迪FF erential输入电压范围
(1)
输入共模电压
最大模拟输入频率与1.5V
PP
输入幅度
(2)
最大模拟输入频率1V
PP
输入幅度
时钟输入
ADS41B29/
ADS41B49
低速模式下启用
(3)
低速模式下被禁用
(3)
20
> 80
80
250
MSPS
MSPS
(2)
1.5
1.7 ± 0.05
400
600
V
PP
V
兆赫
兆赫
输入时钟幅度差(V
CLKP
– V
CLKM
)
正弦波,交流耦合
LVPECL ,交流耦合
LVDS ,交流耦合
LVCMOS单端,交流耦合
输入时钟占空比低速模式下启用
周期
低速模式下被禁用
数字输出
C
负载
R
负载
T
A
从每个输出引脚的最大外部负载电容来DRGND
LVDS的输出对之间的差分负载电阻
( LVDS模式)
工作自由空气的温度
(4) (5) (6)
0.2
1.5
1.6
0.7
1.8
V
PP
V
PP
V
PP
V
60
65
%
%
40
35
50
50
5
100
–40
+85
pF
Ω
°C
高性能模式
模式1
将MODE 1寄存器位来获得整个样本的最佳性能
时钟信号和输入信号的频率。
注册地址= 03H ,寄存器数据= 03H 。
设置模式寄存器2位获得在高输入信号的最佳性能
频率大于230MHz之间。
注册地址= 4Ah可,寄存器数据= 01H 。
模式2
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
提供0dB增益。见
增益SFDR / SNR权衡
在第
应用信息
为之间的输入电压范围的关系
和增益。
见
工作原理
在节
应用程序的信息。
见
串行接口
部分,用于对低速模式的细节。
它建议使用这些模式以获得最佳的性能。这些模式中只能设置带串行接口。
见
串行接口
部分对寄存器编程的详细信息。
注意,当不使用串行接口,这些模式不能设置(当RESET引脚连接到高电平) ;看
设备
CON组fi guration
部分。
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