操作模式和片上存储器
V
DD
最大
690
V
DD
4.7 k
V
OUT
4.8-V
镍镉电池
V
BATT
+
TO MODB / V
STBY
M68HC11的
图2-8 。 RAM待机MODB / V
STBY
连接
该引导程序包含在内部引导ROM 。这个ROM ，它表现为内部
在位置$ BF00- $ BFFF内存空间，才启用如果MCU在特殊的引导模式复位。
在扩展模式中，ROM / EPROM / OTPROM （如果存在的话）被使能复位的并且位于
内存映射的顶部，如果在CONFIG寄存器中的罗蒙位被置位。 ROM或EPROM启用了
的复位单片机和自举模式下，无论罗蒙的状态。
对于具有512个字节的EEPROM的装置，所述EEPROM被位于$ B600- $ B7FF ，并且具有相同的读
周期时间为内部ROM 。该512字节的EEPROM不能被重新映射到其它位置。
对于MC68HC811E2 ， EEPROM位于$ F800- $ FFFF ，可以重新映射到任何4K字节
边界。 EEPROM的映射控制位（ EE [3：0 ]在CONFIG）中确定的2048个字节的位置
EEPROM中的，并且仅在MC68HC811E2本。请参阅
2.3.3.1系统配置寄存器
为MC68HC811E2 CONFIG寄存器的说明。
EEPROM可以被编程或通过软件和一个片上电荷泵擦除，使EEPROM的
使用单V变化
DD
供应量。
2.3.2模式选择
这四个模式的变化是由的MODA和MODB引脚的逻辑状态的复位过程中选择。该
MODA和MODB逻辑电平决定SMOD的逻辑状态，并在最高的MDA控制位
优先级I位的中断和杂项（ HPRIO ）注册。
复位解除后，将模式选择引脚不再影响单片机运行模式。在单芯片
操作模式中， MODA引脚连接到一个逻辑电平0。在展开的方式， MODA通常
连接到V
DD
通过4.7 kΩ的上拉电阻。该MODA销还充当负载指令
注册LIR引脚时， MCU不复位。漏极开路低电平有效LIR输出引脚驱动时低
每条指令的第一封周期。该MODB引脚也可以作为备用电源输入（V
STBY
），其
可以维持在不存在的V RAM内容
DD
.
请参阅
表2-1
这是模销的操作中，模式控制位的摘要，并将四
操作模式。
M68HC11E系列数据手册，版本5.1
40
飞思卡尔半导体公司
