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号
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增加/变动/删除
表5-10 ， EMIFS / NOR闪存接口开关特性：
- 增加了对F17和F18行
F27:
- 更新后的符号和说明
- 改变MIN值从“H - 6.6 ” ns到“H - 3.29 ” NS
- 从“H + 3.29 ” ns至“H + 6.6 ”NS改变MAX值
- F29 ：更新后的符号和说明
- F30 ：更新后的符号和说明
- F31 ：更新后的符号和说明
- F40 ：更新后的符号和说明
- F41 ：更新后的符号和说明
- F42 ：更新后的符号和说明
- F43 ：更新后的符号和说明
- 增加了“见5.7.1.1节的信息和如何计算OMAP5912 EMIFS NOR闪存为例
时间安排。 “第二注脚
添加5.7.1.1节， EMIFS NOR闪存时序计算示例
表5-11 ，使用约束表5-9参数值采样时间计算上述计算：
- 改变“异步模式”到“异步页模式”的F21和F22
表5-12 ，使用约束表5-10参数值采样时间计算上述计算：
- 为F13和F15修改后的值
- 为F17 / F18添加的行
图5-10 ， EMIFS / NOR闪存单字异步读取，全握手模式时序：
- 移除参数F8
图5-11 ， EMIFS / NOR闪存异步32位读时序：
- 改变为F13 F17
- 改变为F15 F18
图5-13 ：
- 改变标题从“ EMIFS / NOR闪存单字异步写时序”到“ EMIFS / NOR闪存单字
异步写时序，
全握手模式“
- 移除参数F8
图5-14 ：
- 从“ EMIFS / NOR闪存单字异步写入更改标题，
全握手模式“
以“ EMIFS / NOR
Flash的单字异步写入“
图5-18 ， EMIFS /复用NOR Flash的单字异步读时序：
- 改变为F13 F17
图5-20 ， EMIFS /复用NOR Flash的同步突发读时序（再定时关闭） ：
- 改变为F13 F17
表5-14 ， EMIFS / NAND Flash的开关特性：
- NFE5 ：更新后的符号
表5-15 ， EMIFF / SDR SDRAM接口时序要求：
- 关于CONF_VOLTAGE_SDRAM_R控制位添加脚注
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2003年12月 - 修订2005年12月
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