介绍
2.3
终端特性和复用
如表2-3所示复每个球为ZDY / GDY终端特性和信号
封装。如表2-4所示复每个球为ZZG终端特性和信号
封装。表列标题的说明如下：
BALL编号：
包球号码。
信号名称：
所有被复用在每个球的信号的名称。
类型：
信号方向。
MUX CTRL地点：
显示了复用模式的控制。
上拉/ PULLDN ：
表示一个内部上拉或下拉的存在。上拉和下拉即可
启用或通过软件被禁用。
BUFFER强度：
带动相关的输出缓冲器的实力。
其他：
包含各种终端信息，如缓冲式，边界扫描能力，
门控/抑制功能。
复位状态：
在复位终端的状态。
供应：
电压供应，权力终端的I / O缓冲区。
注意：
必须小心，以避免分配多个球，以相同的信号。违规可能
导致意外的结果。
表2-3 。 ZDY / GDY包终端特性
ZDY /
GDY
球
号
E7
A12
A2
D5
D4
信号名称
TYPE
MUX CTRL地点
（见注3和4）
NA
NA
NA
NA
NA
上拉/
PULLDN
卜FF器
实力
§
2毫安（LV ）
3毫安（ HV ）
2毫安（LV ）
3毫安（ HV ）
2毫安（LV ）
3毫安（ HV ）
2毫安（LV ）
3毫安（ HV ）
2毫安（LV ）
3毫安（ HV ）
其他
RESET
状态
#
1
0
0
1
1
供应
SDRAM.CS
SDRAM.DQSH
SDRAM.DQSL
SDRAM.CAS
SDRAM.RAS
O
I / O
I / O
O
O
A
A，K
A，K
A
A
DV
DD4
DV
DD4
DV
DD4
DV
DD4
DV
DD4
I =输入， O =输出， Z =高阻抗
PD20 = 20 μA内部下拉， PD100 = 100 μA内部下拉， PU20 = 20 μA内部上拉， PU100 = 100 μA内部上拉电阻。上拉或
下拉可以启用或禁用的软件。
§
吕=低电压（ 1.65 V） ， HV =高电压（ 2.5 V）
A =标准的LVCMOS输入/输出
G1 =终端可以通过BFAIL被选通
B = SUBLVDS输入/输出中
G2 =终端可以通过GPIO9和MPUIO3被选通
C = USB收发器的输入/输出中
G3 =终端我用BFAIL和OMAP5912内部复位选通
2
C输入/输出缓冲器
D = 1
H1 =终端可以三态由BFAIL输入
E =模拟振荡器端子
H3 = MCSI1.DOUT引脚可以强制进入高阻
F =边界可扫描终端
国家的OMAP5912 HIGH_IMP3控制位
K =输出缓冲器包括20的串联电阻
为配合PCB线路阻抗，并确保适当的信号完整性
#
Z =高阻抗， LZ =低阻抗（引脚驱动） ， 1 =输出驱动为高电平， 0 =输出驱动为低电平
||
k
该EXT_DMA_REQ0的压摆时间约束必须小于或等于10纳秒（从10％至90 ％DV的
DD
）在模式1 。
注： 3， NA表示没有复用球
4. “ Regx ”表示终端复用寄存器，用于控制指定的终端，其中Regx = FUNC_MUX_CTRL_x
该EXT_DMA_REQ1的压摆时间约束必须小于或等于10纳秒（从10％至90 ％DV的
DD
）在模式1 。
40
SPRS231E
2003年12月 - 修订2005年12月
