ADG633
V
DD
= 2.7 V至3.6 V ，V
SS
= 0 V ， GND = 0 V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。
表3中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻，R
ON
导通电阻匹配
通道之间， ΔR
ON
漏电流
源关闭泄漏，我
S（ OFF）
流掉泄漏，我
D（关闭）
渠道渗漏，我
D（上）
, I
秒（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
数字输入电容，C
IN
动态特性
1
t
过渡
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
突破前先延时，T
BBM
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
-3 dB带宽
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
, C
秒（上）
电源要求
I
DD
0.005
±1
2
170
300
200
310
30
40
180
1
2
90
90
500
5
8
12
0.01
1
1
+25°C
B版本
-40 ° C至+ 85°C
版本
-40 ° C至+ 125°C
0到V
DD
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
DD
= 2.7 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 0 V至2.7 V，I
S
= 0.1毫安;参见图20
V
S
= 0 V至2.7 V，I
S
= 0.1毫安;参见图20
V
S
= +1.5 V，I
S
- 0.1毫安
V
S
= +1.5 V，I
S
- 0.1毫安
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图21
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图22
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V / 1 V ;参见图22
V
S
= V
D
= 1或3V ;参见图23
V
S
= V
D
= 1或3V ;参见图23
185
300
2
4.5
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
±0.005
±0.2
350
400
6
7
±5
±5
±5
2.0
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
V
IN
= V
INL
或V
INH
370
380
55
400
420
75
10
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图24
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 1.5 V ;参见图26
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;参见图25
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 1.5 V ;参见图25
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
V
S
= 1.5 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1 nF的;参见图27
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图28
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图30
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 pF的;参见图29
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
数字输入= 0 V或3.3 V
通过设计保证;不受生产测试。
版本A |第5
16
