25XX080C/D
框图
状态
注册
高压发生器
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
X
DEC
EEPROM
ARRAY
页锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
Y译码
感测放大器。
R / W控制
表2-1：
指令集
指令格式
描述
读存储器阵列的数据开始在选定的地址
将数据写入到存储阵列在选定的地址开始
复位写使能锁存器（禁止写操作）
将写使能锁存器（允许写操作）
读状态寄存器
写状态寄存器
指令名称
读
写
WRDI
雷恩
RDSR
WRSR
0000 0011
0000 0010
0000 0100
0000 0110
0000 0101
0000 0001
图2-1：
CS
0
SCK
阅读顺序
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
指令
SI
0
0
0
0
0
0
1
16位地址
1
15 14 13 12
2
1
0
数据输出
7
6
5
4
3
2
1
0
高阻抗
SO
2009-2012 Microchip的科技公司
DS22151B第7页
