大陆设备印度有限公司
在ISO / TS16949和ISO 9001认证的公司
NPN硅平面外延型晶体管
引脚配置（ NPN ）
1 - 基地
2 = EM伊特尔
3 - 集电极
CMMT495
SOT-23
形成SMD封装
3
1
2
标识代码为= 495
绝对最大额定值
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
功率耗散@ T
a
=25C
工作和存储结
温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
j,
T
英镑
价值
170
150
5
1
2
200
500
- 55 + 150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
C
电气Characterstics （T
a
= 25C除非另有规定）
描述
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
收藏家切断电流
收藏家切断电流
发射器切断电流
集电极发射极饱和
电压
基极发射极饱和电压
基极发射极电压
直流电流增益
符号
V
CBO
*V
CEO （ SUS ）
V
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
*V
CE （ SAT ）
*V
BE （ SAT ）
*V
BE（上）
h
FE
条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 150V ，我
E
=0
V
CE
=150V, V
BE
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=500mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
*V
CE
= 10V ，我
C
=250mA
*V
CE
= 10V ，我
C
=500mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1A
V
CE
= 10V ，我
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
100
100
50
10
100
民
170
150
5
100
100
100
0.2
0.3
1.0
1.0
300
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
10
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度= 300
S，占空比<2 ％
大陆设备印度有限公司
数据表
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