CEP21A3/CEB21A3
2002年11月
4
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
30V ， 20A ，R
DS （ ON）
=45m
@V
GS
=10V.
R
DS （ ON）
=70m
@V
GS
=4.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力。
的TO-220 &的TO- 263封装。
D
4
D
G
G
S
G
D
S
S
CEP系列
TO-220
CEB系列
TO-263(DD-PAK)
绝对最大额定值（T
C
= 25°C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
-Pulsed
漏源二极管的正向电流
最大功率耗散
@ T = 25℃
减免上述25℃
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
20
20
60
20
43
0.29
-65 175
单位
V
V
A
A
A
W
W / C
C
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
R
JC
R
JA
4-167
3.5
62.5
C / W
C / W
