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AD5231
闪存/ EEMEM可靠性
对AD5231的Flash / EE存储器阵列是完全合格的两
关键Flash / EE存储器的特点，即Flash / EE存储器
骑自行车的耐力和Flash / EE存储器的数据保存。
耐力量化Flash / EE存储器的是能力
经过许多程序，读取和擦除周期循环。在实际
而言，单个耐久性周期包括四个独立的，
连续的事件。这些事件被定义为：
初始页擦除序列
读/校验序列
字节的程序序列
第二次读/校验序列
在可靠性鉴定Flash / EE存储器是由循环
000
H
到3FF
H
直到第一个失败的记录标志着耐力
极限片内Flash / EE存储器。
正如本数据手册中， AD5231的规格页面
Flash / EE存储器耐力资质已开展
根据JEDEC规范A117在工业
温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。结果让
规格最小的耐力系数在供应和
气温达10万次，具有耐力的身影
700000次循环是典型的操作在25℃ 。
保留量化Flash / EE存储器的保留能力
其编程的数据随着时间的推移。同样， AD5231一直
资格按照正规的JEDEC保持力寿命
规格（ A117 ）在一个特定的结点温度（T
J
= 55°C).
由于这种鉴定程序的一部分， Flash / EE存储器是
循环到上述指定的耐力极限，之前的数据
保留的特点。这意味着， Flash / EE存储器
被保证保留其数据的全面指定保持期限
每次Flash / EE存储器进行重新编程。还应
应当注意，保持寿命的基础上，活化能
0.6电子伏特，会以T减免
J
如示于图20中。例如，在
数据将被保留了100年，在55 ℃下操作，但降低到
15年85°C的操作。除了这样的限制，部分必须是
重新编程，以使得数据可以被恢复。
300
应用
双极性工作的双电源
该AD5231可以由双电源供电
±
2.5 V ，其
使地面参考交流信号或双极性操作的控制。
交流信号，如高为V
DD
/V
SS
，可直接跨应用
终端AB与以输出从终端W. （参见图
21为一个典型的电路连接）。
+2.5V
V
DD
C
GND
SS
SCLK
MOSI
CS
CLK
SDI
V
DD
A
W
GND
B
V
SS
1.25V P-P
2.5V P-P
AD5231
D =中间电平
–2.5V
图21.双极性工作的双电源
高压工作
数字电位器可以直接在该反馈被放置或
一个运算放大器进行增益控制的输入路径，只要该电压
在端子AB ， WA ， WB或不超过| 5 V | 。当
高电压增益是必要的，用户应在运算设置固定增益
放大器工作在+ 15V ，并让数字电位器控制
可调整的输入。图22示出了一个简单的实现。
R
2R
15V
5V
A
–
A1
W
+
V+
V–
V
O
0至15V
AD5231
B
图22. 15 V电压范围控制
双极性可编程增益放大器
250
RETENTION - 年
200
有几种方法来实现双极性增益。图23示出了一个
多功能的实现。数字电位器U1设置
调整范围，雨刮器电压V
W2
因此，能够
V之间设定
i
和-kv
i
在给定的U 2设置。对于线性
调整后， A2配置为同相放大器和变压器
FER函数变为：
ADI典型
性能
AT
T
J
= 55 C
150
100
V
O
R
2
D
2
=
1
+
×
×
(
1
+
K
)
–
K
V
i
R
1
1024
其中：
K
是R的比率
WB
/R
WA
这是由U1的设定。
D
=输入码的十进制等效
(4)
50
0
40
50
60
70
80
90
T
J
结温 - C
100
110
图20. Flash / EE存储器数据保留
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