数据
她等
部分
版本04 （ 2011年10月3日）
上电时禁止写入
PPB密码保护模式
嵌入式算法特点
表
绝对最大额定值表
DC特性表
上电/掉电电压和
时序表
上电图
上电（冷）电复位（POR ）
有效组合表
版本05 （十二月十四日）
全球
电容特性
订购信息
版本06 （ 2012年3月16日）
全球
订购信息
版本07 （ 2012年12月21日）
特色鲜明
状态寄存器ASO
高级扇区保护概述
PPB锁
持久保护位（ PPB ）
动态保护位（ DYB ）
PPB密码保护模式
芯片擦除
扇区擦除
擦除暂停/删除恢复
状态寄存器ASO
状态寄存器
DQ7 ：数据＃投票
DQ1 ：写入到缓冲区中止
嵌入式操作错误
保护错误
写缓冲器中止
性能表
设备ID和通用闪存接口
（ID- CFI） ASO地图
异步读取操作
异步写操作
加入舱内的温度范围内
补充说明
更新图
补充说明
补充说明
补充说明
补充说明
补充说明
补充说明
补充说明
补充说明
补充说明
补充说明
补充说明
数据轮询状态：更新的表
补充说明
补充说明
补充说明
加入9毫米×7毫米封装
加入105 ℃的产品
更新的有效组合
轻微的修正
轻微的修正
描述
更新缓冲区编程时间上限
补充说明
输出高电压澄清
补充说明
补充说明
补充说明
更新的表
从数据表名称变更
初步
to
满负荷生产
扇区擦除：更新了典型的擦除时间
最新章节
在有效的组合表更正笔记称号
更新嵌入算法特性（ -40 ° C至+ 105 ° C）表
更新CFI设备几何定义表
更新CFI主要供应商特定的扩展查询表
添加了读操作V
IO
= 1.65 （ -40 ° C至+ 105 ° C）表
更新读到写（ CE ＃ V
IL
）图
更新读到写（ CE ＃切换）图
2012年12月21日S29GL_128S_01GS_00_07
GL -S的MirrorBit
家庭
103
