英特尔
80331 I / O处理器
规格变更
“问题EMRS3命令” 。为了能够符合JEDEC的，这些步骤应该被添加到
存储器控制器的初始化序列。
注：在实施之前，请与您的DIMM /内存制造商以确定是否这些
步骤是必需的。软件应始终遵循所提供的初始化序列
DIMM /内存制造商的指引。
下面的伪代码显示了所需要的符合标准的EMRS初始化步骤
与JEDEC DDR- II初始化序列。
//步骤5和6 - EMRS （2）和EMRS （3）编程
如果MemoryType是DDR- II
写入0x2到DCALADDR （设定BA [ 1：0]为EMRS （2））
写0x81000003到DCALCSR （问题EMRS命令CS0 ）
等待DCALCSR [ 31 ]报告“操作完成”
写0x81100003到DCALCSR （问题EMRS命令CS1 ）
等待DCALCSR [ 31 ]报告“操作完成”
写0x3的到DCALADDR （设定BA [ 1：0]为EMRS （3））
写0x81000003到DCALCSR （问题EMRS命令CS0 ）
等待DCALCSR [ 31 ]报告“操作完成”
写0x81100003到DCALCSR （问题EMRS命令CS1 ）
等待DCALCSR [ 31 ]报告“操作完成”
ENDIF
21.
问题：
外壳温度（温度上限）的变化
为了与生产测试环境，外壳温度（温度上限）为80331一致
I / O处理器已经从105
ο
C至95
ο
c.
22.
问题：
内部时钟错位
由于非核心
勘误62 ，内部时钟错位可能导致处理器坑，第41页，
英特尔筛选零部件，以消除发生的概率。直到这是固定在未来的
步进，屏幕已经实施，将筛选出的部分呈现出这个问题了
VCC15大于1.46V 。
与屏幕在1.46V ，板载1.5v的电源导轨不应该被允许去下面1.46V ，如
这会增加故障的风险。在1.5V最低铁路目前在数据表中指定
为1.425V ，因此对于筛选部分，最小值改变到1.46V 。
状态：
固定的。这个问题是固定在D- 1步进的产品。
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规范更新
