新产品
Si8812DB
Vishay Siliconix公司
N沟道20 V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ Ω ）最大。
0.059在V
GS
= 4.5 V
20
0.061在V
GS
= 3.7 V
0.065在V
GS
= 2.5 V
0.085在V
GS
= 1.8 V
MICRO FOOT
凹凸面
意见
背面
意见
I
D
(A)
3.2
3.1
3.0
2.7
a
Q
g
（典型值）。
6.3 NC
TrenchFET
功率MOSFET
小0.8毫米×0.8 mm外形区
低0.4毫米最大。轮廓
低导通电阻
材料分类：
对于合规的定义，请参见
www.vishay.com/doc?99912
应用
与低压降负荷开关
电源管理
适用于智能手机，平板电脑，
移动计算
G
D
S
2
G
1
xxx
AG
S
3
D
4
器件标识：
XXX =日期/批次追踪码
AG =设备标识代码
S
订货信息：
Si8812DB -T2 -E1 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲（ T = 300微秒）
连续源极 - 漏极二极管电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
最大功率耗散
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
温度）
c
T
J
, T
英镑
P
D
I
S
I
DM
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
20
±8
3.2
a
2.6
a
2.3
b
1.8
b
20
0.7
a
0.4
b
0.9
a
0.6
a
0.5
b
0.3
b
- 55 150
260
°C
W
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，D
符号
t
5s
R
thJA
典型
105
200
最大
135
260
单位
° C / W
最大结点到环境
B，E
注意事项：
一。表面安装1" X 1" FR4板，全铜的，T = 5秒。
B 。表面安装1" X 1" FR4板最小铜，T = 5秒。
。请参考IPC / JEDEC （ J- STD- 020 ） ，无需人工或手工焊接。
。在稳态条件下最大为185 ° C / W 。
。在稳态条件下最大为330 ° C / W 。
文档编号： 63682
S12-2050 -REV 。 A， 27 - 8 - 12
如有技术问题，请联系：
pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
