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VCUT05B1-DD1
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威世半导体
12
10
8
V
C
(V)
6
4
2
0
0
1
2
V
C
测得的累计。 IEC 61000-4-5
（ 8/20微秒 - 波形）
3
4
5
21794
I
PP
(A)
图。 5 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
60
50
40
命中率。 IEC 61000-4-2
± 8千伏
接触放电
V
C- ESD
(V)
30
20
10
0
- 10
- 20
- 30
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
21795
T（ NS ）
图。 6 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
250
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
200
V
C- ESD
(V)
150
100
V
C- ESD
50
0
0
21796
5
10
15
20
25
30
V
ESD
（千伏）
图。 7 - 典型的峰值钳位电压ESD时
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
修订版1.2 ， 21军， 12
文档编号： 81149
3
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