高速超低功率SRAM
8K字由8位
WS6264
（ TA =
0 70℃ ， VCC = 5.0V ）
)
o
o
DC电气特性
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
参数
保证输入低
电压
(2)
保证输入高
电压
(2)
输入漏电流
Vcc=5.0V
测试条件
民
-0.5
典型值
(1)
最大
0.8
单位
V
Vcc=5.0V
V
CC
=最大，V
IN
= 0至V
CC
V
CC
= MAX ， / CE1 = V
Ih
或
2.2
-1
Vcc+0.5
1
V
uA
输出漏电流
CE2 = V
白细胞介素，
或/ OE = V
Ih
或
/ WE = V
IL
V
IO
= 0V至V
CC
-1
1
uA
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
TTL待机电源
V
CC
=最大，我
OL
= 1毫安
V
CC
=分钟，我
OH
= -1mA
/CE1=V
IL
, I
DQ
=0mA,
F=F
最大
=1/ t
RC
/CE1=V
IH
, I
DQ
=0mA,
/CE1≧V
CC
-0.2V ， CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V,
o
0.4
2.4
V
V
30
mA
10
mA
I
CCSB1
CMOS待机电流
1
10
uA
1.典型的特点是在TA = 25℃。
2.这是相对于设备的接地由于系统或测试人员通知绝对值和所有过冲
包括在内。
1.0版
5
