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数据表
1A低噪声CMOS LDO稳压器具有使能
典型性能特性
AP2114
500
450
400
400
AP2114_1.2V
V
IN
=2.5V
O
O
350
地电流（
μ
A)
350
300
250
200
150
100
50
0
0.0
T
A
=25 C
T
A
=85 C
地电流（
μ
A)
T
A
=-40 C
O
300
250
200
150
AP2114_1.8V
V
IN
=2.8V
C
IN
=4.7
μ
F
C
OUT
=4.7
μ
F
T
A
=-40 C
100
50
O
T
A
=25 C
T
A
=85 C
连续气流10scfm
O
O
连续气流10scfm
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
输出电流（A ）
输出电流（A ）
图4.地电流与输出电流
图5.地电流与输出电流
400
350
500.0
AP2114_2.5V
V
IN
=3.5V
C
OUT
=4.7
μ
F
450.0
400.0
地电流（
μ
A)
300
250
200
150
100
50
地电流（
μ
A)
C
IN
=4.7
μ
F
AP2114_3.3V
V
IN
=4.3V
350.0
300.0
250.0
200.0
150.0
100.0
50.0
0.0
T
A
=-40 C
T
A
=25 C
连续气流10scfm
T
A
=85 C
0.6
0.8
1.0
O
O
O
T
A
=-40 C
T
A
=25 C
连续气流10scfm
0.0
0.2
0.4
0.6
O
O
O
T
A
=85 C
0.8
1.0
0
0.0
0.2
0.4
输出电流（A ）
输出电流（A ）
图6.接地电流与输出电流
图7.地电流与输出电流
2013年1月
修订版2.2
14
BCD半导体制造有限公司
