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SUM110P04-04L
Vishay Siliconix公司
P通道40 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 40
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0042在V
GS
= - 10 V
0.0062在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
d
- 110
- 110
特点
TrenchFET
功率MOSFET
新的封装，具有低热阻
可用的
RoHS指令*
柔顺
S
TO-263
G
G
S
顶视图
订货信息：
SUM110P04-04L
SUM110P04-04L （铅（Pb ） - 免费）
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
d
漏电流脉冲
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
a
功耗
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
b
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
- 40
± 20
- 110
- 110
- 240
- 75
281
375
c
3.75
- 55 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境PCB安装
结到外壳
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。看到SOA曲线电压降额。
。通过封装的限制。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
b
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
文档编号： 72437
S- 61964 -REV 。 C， 09- OCT- 06
www.vishay.com
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