位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1247页 > M25P40-VMN6PB > M25P40-VMN6PB PDF资料 > M25P40-VMN6PB PDF资料1第41页

M25P40串行闪存的嵌入式存储器
AC特性
表20 : AC规格( 25兆赫,设备等级3 ,V
CC
[分] = 2.7V) (续)
符号
t
RES1
t
RES2
Alt键。
–
–
参数
S #高到等待状态而不电子签名阅读
S #高到待机状态的电子签名阅读
注意事项:
民
–
–
典型值
–
–
最大
30
30
单位
μs
μs
笔记
3
3
1.读取数据字节以更高的速度,页编程,扇区擦除,块擦除
深度掉电,阅读电子签名,写使能/禁止,读取ID ,
读/写状态寄存器
2.经t
CH
和T
CL
信号必须大于或等于1 /女
C
.
3吨
CLCH
, t
CHCl 3
, t
SHQZ
, t
HHQX
, t
HLQZ
, t
DP
, t
RES1
和叔
RES2
信号值由担保
表征,而不是100 %生产测试。
4.吨
CLCH
和T
CHCl 3
时钟信号的上升和下降时间值表示为一个压摆率。
5吨
WHSL
和T
SHWL
信号只适用于作为一个写状态约束寄存器
TER的命令时SRWD位设置为1 。
表21 :AC规格( 50兆赫,设备等级6 ,V
CC
[min]=2.7V)
符号
f
C
f
R
t
CH
t
CL
t
CLCH
t
CHCl 3
t
SLCH
t
CHSL
t
DVCH
t
CHDX
t
CHSH
t
SHCH
t
SHSL
t
SHQZ
t
CLQV
t
CLQX
t
HLCH
t
CHHH
t
HHCH
t
CHHL
t
HHQX
t
HLQZ
t
WHSL
t
SHWL
t
DP
Alt键。
f
C
–
t
CLH
t
CLL
–
–
t
CSS
—
t
DSU
t
DH
–
–
t
CSH
t
DIS
t
V
t
HO
–
–
–
–
t
LZ
t
HZ
–
–
–
参数
时钟频率为命令(见注)
时钟频率为读命令
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟上升时间(峰到峰)
时钟下降时间(峰到峰)
S #积极建立时间(相对于C)
S #不主动保持时间(相对于C)
数据建立时间
数据保持时间
S #主动保持时间(相对于C)
S #不主动建立时间(相对于C)
S #取消时间
输出禁止时间
时钟低到输出有效
输出保持时间
HOLD #设置时间(相对于C)
HOLD #保持时间(相对于C)
HOLD #设置时间(相对于C)
HOLD #保持时间(相对于C)
HOLD #输出低Z
HOLD #输出高阻
写保护设置时间
写保护保持时间
S #高到深度掉电模式
民
特区
特区
9
9
0.1
0.1
5
5
2
5
5
5
100
–
–
0
5
5
5
5
–
–
20
100
–
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
50
25
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
8
8
–
–
–
–
–
8
8
–
–
3
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
3
3
5
5
3
3
2
2
3, 4
3, 4
笔记
1
PDF : 09005aef8456654f
m25p40.pdf - 启示录摹05/13 EN
41
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2011美光科技公司保留所有权利。