位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1247页 > M25P40-VMN6PB > M25P40-VMN6PB PDF资料 > M25P40-VMN6PB PDF资料1第30页

M25P40串行闪存的嵌入式存储器
深度掉电
深度掉电
执行深度掉电命令是把设备的唯一途径
最低功耗模式下,深度掉电模式。深POWER-
DOWN指令也可以被用来作为而DE-一个软件保护机制
副不积极使用,因为在深度掉电模式下,设备会忽略
所有写,编程和擦除命令。
驱动芯片选择(S # ) HIGH取消选择该设备,并把它的待机功耗
模式,如果没有内部周期正在进行中。一旦备用电源
模式,在深度掉电模式下可以通过执行DEEP POWER的输入
DOWN指令,随后减少我的待机电流
CC1
到我
CC2
.
取设备出深度掉电模式下,从深POW-的释放
ER- DOWN命令必须出具。其他命令不能同时发行
设备处于深度掉电模式。在深度掉电模式下自动停止
matically在电源关闭。该器件上电后待机电源模式。
在深度掉电命令被驾驶S # LOW进入,其次是
上的串行数据输入端( DQ0 )命令代码。 S #必须驱动为低电平整个持续时间
化序列。
S #必须驱动为高电平后的命令代码第八位被锁定英寸
否则,不执行深层关机命令。一旦为S #驱动
高,它需要吨的延迟
DP
之前的供电电流减少到我
CC2
和
深度掉电模式进入。
而一个擦除,编程或写入赛扬发出的任何深层关机命令
CLE过程中被拒绝,而对周期过程中有任何影响。
图18 :深度掉电命令序列
0
C
7
最低位
DQ0
最高位
命令
t
DP
待机模式
深度掉电模式
不在乎
PDF : 09005aef8456654f
m25p40.pdf - 启示录摹05/13 EN
30
美光科技公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
2011美光科技公司保留所有权利。