ADG508F/ADG509F
特定网络阳离子
双电源
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
=发-15V ± 10％ ，GND = 0V ，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
+25°C
V
SS
+ 1.4
V
DD
1.4
V
SS
+ 2.2
V
DD
– 2.2
270
B版本
-40 ° C至+ 85°C
单位
V典型值
V典型值
V典型值
V典型值
= （典型值）
=最大
％/℃ （典型值）
％最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
μA（最大值）
nA的典型值
μA（最大值）
nA的典型值
μA（最大值）
2.4
0.8
±1
5
175
220
90
60
180
230
100
130
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
微秒（典型值）
微秒（典型值）
测试条件/评论
输出开路
输出装，以1mA
10 V ≤ V
S
≤ +10 V，I
S
= 1毫安;
V
DD
= +15 V ± 10%, V
SS
= 15 V ± 10%
见图21
V
S
= 0 V，I
S
= 1毫安
V
S
= -10 V，I
S
= -1毫安
V
D
= ±10 V, V
S
= +10 V;
见图22
V
D
= ±10 V, V
S
= +10 V;
见图23
V
S
= V
D
= ± 10 V;
见图24
R
ON
350
390
R
ON
漂移
导通电阻之间的匹配
渠道， ΔR
ON
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG508F
ADG509F
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG508F
ADG509F
故障
源漏电流I
S
（ FAULT）
（具有过压）
漏极漏电流I
D
（ FAULT）
（具有过压）
源漏电流I
S
（ FAULT）
（电源关闭）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
1
t
过渡
t
开放
t
ON
（ EN ）
t
关闭
（ EN ）
t
SETT
，稳定时间
0.1%
0.01%
0.6
3
±0.02
±1
±0.04
±1
±1
±0.04
±1
±1
±0.02
±2
±5
±2
±1
±2
±50
±60
±30
±60
±30
V
S
= 55 V或-40 V ，V
D
= 0 V ，见图25
V
S
= ±25 V, V
D
= 10 V，见图23
±2
V
S
= ±25 V, V
D
= V
EN
= A 0 ，A 1， A 2 = 0V
见图26
V
IN
= 0或V
DD
300
40
300
150
1
2.5
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的;
V
S1
= ±10 V, V
S8
= 10 V ;参见图27
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图28
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V ;参见图29
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
= 5 V ;参见图29
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= 5 V
修订版F |第20页3
