AP9465BGH/J
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅极电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
40V
32mΩ
20A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装，广泛首选商业，工业
表面安装的应用和适合于低电压应用。
通孔版（ AP9465BGJ ）可用于低轮廓
应用程序。
G
□
D
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
40
+20
20
12
60
20.8
0.17
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）
3
价值
6.0
62.5
110
单位
℃/W
℃/W
℃/W
1
200903092
最大热阻，结到环境
数据&规格如有变更，恕不另行通知
