AP5521GM-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅电荷
▼
快速开关性能
▼
符合RoHS &无卤
SO-8
S1
D1
D2
D1
D2
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
S2
G1
G2
100V
150mΩ
2.5A
-100V
160mΩ
-2.5A
P- CH BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本
有效性。
在SO -8封装，广泛首选商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
100
+20
2.5
2.0
10
2
-55到150
-55到150
等级
N沟道
P沟道
-100
+20
-2.5
-2.0
-10
V
V
A
A
A
W
℃
℃
单位
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
201009241
