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AP10P10GK-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅极电荷
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS &无卤
SOT-223
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
S
D
G
-100V
500mΩ
- 1.65A
I
D
描述
AP10P10系列从高级电源创新的设计和硅
工艺技术，实现最低的导通电阻和
快速切换的性能。它为设计者提供了一个极端的
有效的装置，用于在一个宽范围的功率应用中使用。
采用SOT - 223封装是专为suface安装的应用程序，大
散热器比SO -8和SOT封装。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
- 100
+20
- 1.65
-1.3
-6
2.78
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
连续漏电流
3
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
45
单位
℃/W
1
201211021
数据和规格如有变更，恕不另行通知
