AP72T03GH/J
10
1600
f=1.0MHz
I
D
= 30 A
V
GS
，门源电压（ V）
8
1200
C（ pF）的
6
V
DS
= 15 V
V
DS
= 18 V
V
DS
= 24 V
C
国际空间站
800
4
400
2
C
OSS
C
RSS
0
0
8
16
24
32
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
0.2
I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
P
DM
10
t
0.02
1ms
T
c
=25 C
单脉冲
1
0.1
1
10
T
0.01
o
10ms
100ms
DC
100
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
