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NGTG30N60FWG
热特性
等级
热阻结到外壳,用于IGBT
热阻结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
价值
0.75
40
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压,
栅极 - 发射极短路
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极截止电流,栅极
发射极短路
栅极漏电流,集电极 - 发射极
短路
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷总量
门极 - 发射极充
门到集充电
开关特性,感性负载
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
*包括使用NGTB30N60FWG二极管的反向恢复损耗。
T
J
= 150°C
V
CC
= 400 V,I
C
= 30 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15 V*
T
J
= 25°C
V
CC
= 400 V,I
C
= 30 A
R
g
= 10
W
V
GE
= 0 V/ 15 V*
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
81
31
190
110
0.65
0.65
1.30
80
32
200
230
0.80
1.1
1.90
mJ
ns
mJ
ns
V
CE
= 480 V,I
C
= 30 A,V
GE
= 15 V
V
CE
= 20 V, V
GE
= 0 V , F = 1兆赫
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
4100
115
95
170
34
83
nC
pF
V
GE
=
0 V,I
C
= 500
mA
V
GE
= 15 V,I
C
= 30 A
V
GE
= 15 V,I
C
= 30 A,T
J
= 150°C
V
GE
= V
CE
, I
C
= 200
mA
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V
V
GE
= 0 V, V
CE
= 600 V ,T
J =
150°C
V
GE
= 20 V , V
CE
= 0 V
V
( BR ) CES
V
CESAT
V
GE (日)
I
CES
I
GES
600
1.25
4.5
1.45
1.75
5.5
1.70
6.5
0.2
2
100
V
V
V
mA
nA
测试条件
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2

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