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E
5.11
#
W0
t
AVAV
W1
W2
W3
W4
W5
W6
W7
W8
W9
W10
W11
W12
W13
W14
t
WP
28F200B5 ， 28F004 / 400B5 ， 28F800B5
AC特征 - 写操作，汽车温度
速度
符号
参数
写周期时间
2,4兆
8兆位
记
民
80
80
450
0
9
4
3
60
60
60
0
4
3
0
0
10
6,8
5,8
6,8
5,8
7,8
100
100
0
0
100
-80
最大
民
不适用
90
450
0
60
60
60
0
0
0
10
100
100
0
0
100
-90
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PHWL
(t
PHEL
)
t
ELWL
(t
WLEL
)
RP ＃高价回收到WE＃
（ CE ＃ ）走出低
CE ＃ （ WE＃ ）设置为WE＃
（ CE ＃ ）走出低
把脉冲宽度
数据建立到WE＃ （ CE ＃ ）
去高
地址设置到WE＃ （ CE ＃ ）
去高
CE ＃ （ WE＃ ）持有WE＃
（ CE ＃ ）高
从我们的数据保持＃ （ CE ＃ ）
高
地址保持从WE＃ （ CE ＃ ）
高
把脉冲宽度
高
V
CC
= 5 V
±
5%
t
DVWH
(t
DVEH
)
t
AVWH
(t
AVEH
)
t
WHEH
(t
EHWH
)
t
WHDX
(t
EHDX
)
t
WHAX
(t
EHAX
)
t
WPH
t
PHHWH
(t
PHHEH
)
t
VPWH
(t
VPEH
)
t
QVPH
t
QVVL
t
PHBR
RP ＃ V
HH
安装到WE＃ （ CE ＃ ）
去高
V
PP
安装到WE＃ （ CE ＃ ）去
高
RP ＃ V
HH
从有效SRD举行
V
PP
从有效SRD举行
引导块锁定延迟
注意事项：
在程序1.读时序特性和擦除操作是相同的过程中只读操作。请参阅TOAC
特点 - 只读操作。
2.芯片WSM完全自动化编程/擦除操作;编程/擦除算法，现在在内部控制
其中包括验证操作。
3.请参阅命令定义表有效的A
IN
。 （表7）
4.参考命令定义表有效D
IN
。 （表7）
5.编程/擦除持续时间测量到的有效数据SRD （成功运作， SR.7 = 1） 。
6.对于引导块编程/擦除， RP ＃应在V举行
HH
或WP ＃应在V举行
IH
直到操作完成
成功。
7.时刻t
PHBR
是所必需的引导块的成功锁定。
8.采样，而不是100 ％测试。
9.把脉冲宽度（T
WP
）从CE＃定义或WE ＃变低（取变低为止） ，以CE ＃或WE ＃变为高电平
（取高电平在前） 。因此，T
WP
= t
WLWH
= t
ELEH
= t
WLEH
= t
ELWH
.
10.把脉冲宽度高（T
WPH
）从CE＃定义或WE ＃变高（取变高第一），以CE ＃或WE ＃变低
（两者为低优先）。因此，T
WPH
= t
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
.
初步
39
