位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第643页 > TB28F400B5T80 > TB28F400B5T80 PDF资料 > TB28F400B5T80 PDF资料2第1页

E
n
n
n
n
n
初步
5 VOLT BOOT BLOCK
FL灰内存
28F200B5 , 28F004 / 400B5 , 28F800B5 ( X8 / X16 )
SmartVoltage技术
5伏引导块闪存:
5 V读取, 5 V或12 V写操作
增加吞吐量编程
在12 V V
PP
极高性能的读取
2-, 4兆位: 55 ns访问时间
8兆位: 70 ns访问时间
X8或x8 / x16的可配置数据总线
低功耗
最大60毫安读取电流在5 V
自动省电: <1毫安典型
待机电流
优化阵列无阻塞架构
16 KB保护的引导块
两个8 KB参数块
96 KB和128 KB的主块
顶部或底部启动位置
扩展温度操作
-40 ° C至+85°C
行业标准包装
40 , 48引脚TSOP , 44引脚PSOP
n
扩展块擦除循环
100,000次在商业温度
10000次在扩展级温度
30,000次的参数块
1000环的主块在
汽车温度
硬件数据保护功能
绝对的硬件保护
BOOT BLOCK
电源在写锁定
TRANSITIONS
自动字/字节编程和
块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
复位/深度掉电输入
提供低功耗模式和
重置启动操作
兼容的引脚排列2 , 4 , 8兆
ETOX 闪存技术
0.6
ETOX IV初始生产
0.4
ETOX V后来生产
n
n
n
n
n
n
n
n
英特尔
5伏引导块闪存系列提供2,4和8 - Mbit的存储器具有高
密度,低成本,非易失性读/写存储解决方案的应用范围广泛。其
不对称封端的体系结构,灵活的电压,并延长循环提供高度灵活的
适于嵌入代码执行的应用程序,例如网络基础设施和办公组件
自动化。
基于Intel
引导块架构, 5伏引导块闪存系列可快速,轻松
升级为要求国家的最先进的技术设计。该系列产品配备的业界
标准封装: 40引脚TSOP非常空间受限的8位应用的48引脚TSOP ,非常适合
董事会约束更高性能的16位应用程序,并且坚固耐用,易于处理44引脚PSOP 。
注意:
本文原名
智能5引导块闪存系列2 , 4 , 8兆比特
.
1999年6月
订单号: 290599-007