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28F200B5 , 28F004 / 400B5 , 28F800B5
5.6
AC特性读取操作,商业和扩展
温度
温度
速度
5V
±
5%
(4)
30 pF的
55
70
7
55
70
2,7
55
70
2
30
450
3
3
3
3
3
0
0
0
20
20
0
0
0
20
20
0
最大
广告
-60/-70
-80/-90
E
最大
ns
ns
80
90
80
90
40
ns
ns
ns
ns
ns
EXTENDED
-80/-90
#
符号
参数
V
CC
负载
笔记
5V±10%
(5)
5V± 10%
(5)
5V± 10%
(5)
单位
100 pF的
70
80
70
80
70
80
35
450
0
0
20
20
0
最大
100 pF的
80
90
80
90
80
90
40
450
0
0
25
25
最大
100 pF的
80
90
R1
t
AVAV
读周期
时间
2,4兆位
8兆位
2,4兆位
8兆位
2,4兆位
8兆位
7
R2
t
AVQV
地址
输出延迟
R3
t
ELQV
CE#为
输出延迟
R4
R5
R6
R7
R8
R9
R10
t
GLQV
t
PHQV
t
ELQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
OE #到输出延迟
RP #到输出延迟
CE#到输出中低Z
OE #到输出中低Z
CE#到输出中高Z
OE #到输出中高Z
从地址输出保持,
CE #或OE #变化,
以先到为准科幻RST
450纳秒
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.见AC输入/输出参考波形的定时测量。
2. OE #可能会延迟到t
CE
–t
OE
的CE#没有对T的影响下降沿后
CE
.
3.取样,但不是100 %测试。
4.查看
测试配置
(图13 ) , 5 V高速测试的元件值。
5.请参阅
测试配置
(图13) , 5伏的标准试验的元件值。
不支持6.动态BYTE #字或字节模式之间的切换。模式必须进行更改时,该设备
在深度掉电或断电。
7.本文件发布之日起,并不是所有28F200B5 -60器件符合55纳秒读取规范。请参考
5伏引导块闪存系列28F200B5 , 28F004 / 400B5 , 28F800B5规范更新
确定
具体28F200B5 -T / B60材料,其能够为55 ns的读访问时间。所有其他28F200B5 T / B60设备
可60纳秒读取访问时间当V
CC
= 5 V± 5 %和30 pF负载。
34
初步

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