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28F200B5 ， 28F004 / 400B5 ， 28F800B5
3.3
引导块锁定
引导块系列架构有
硬件上锁的引导块，这样内核
为系统码，可以保持安全而
参数及主要模块进行编程和
独立地被擦除的必要。只有启动
块可独立于其它被锁定
块。
3.3.1
V
PP
= V
IL
有关完整
保护
的功能是必需的，并且12伏不可
在系统，请考虑使用48 - TSOP
包，里面有一个WP ＃引脚，可以是
解锁用逻辑电平信号。所有其它密度 -
封装组合有WP ＃引脚。
表9.写保护真值表
V
PP
V
IL
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
RP ＃
X
V
IL
V
HH
V
IH
V
IH
WP ＃
X
X
X
V
IL
V
IH
写保护
提供
所有的块锁定
所有的块锁定
（ RESET ）
所有块解锁
引导块锁定
所有块解锁
E
所有块中的完整的写保护
设备中，V
PP
电压可以保持为低。当V
PP
低于V
PPLK
任何编程或擦除操作会
导致在状态寄存器中的错误。
3.3.2
WP ＃ = V
IL
为引导块
锁定
当WP ＃ = V
IL
时，引导模块被锁定，并任
编程或擦除操作来引导块将
导致在状态寄存器中的错误。所有其他
块保持在该状态下解除锁定，并且可以是
编程或擦除正常。注意，这
功能覆盖和引导块解锁
当RP ＃ = V
HH
.
3.3.3
RP ＃ = V
HH
或WP ＃ = V
IH
为引导
BLOCK解锁
4.0
设计注意事项
下一节将讨论推荐
设计的问题，可以提高
系统的鲁棒性设计，使用闪存。
4.1
耗电量
两种方法可用于解锁引导块：
1. WP ＃ = V
IH
2. RP ＃ = V
HH
如果同时满足这两个条件或其中满足，则
引导块将解锁并且可以是
编程或擦除。
该
写保护整真值表，
表9中，明确地
定义的写保护方法。
3.3.4
注：对于8兆位44 PSOP
包
英特尔闪存组件中包含的功能设计
降低功率要求。以下各节
将详细介绍如何利用这些功能。
4.1.1
有功
断言CE＃为逻辑低电平和RP ＃到
逻辑高电平将器件置于所述有源
模式。参阅
DC特性
表我
CCR
的电流值。
4.1.2
自动省电（ APS ）
8兆位的44 PSOP封装没有
一个WP ＃因为没有其他引脚可用的
8兆位升级地址。因此，在该密度一
只有套餐组合，V
HH
（ 12 V ），在RP ＃为
与解锁引导块和解锁要求
一逻辑电平的信号是不可能的。如果这个解锁
自动省电（ APS ）提供低
在主动模式下的功率运行。功率降低
控制（ PRC ）电路允许设备投入
自己变成一个低电流状态时不被
访问。后的数据从存储器中读
数组，中国逻辑控制设备的电源
通过输入APS模式，消费
典型的我
CC
电流小于1mA 。该装置
停留在这种静止状态与输出有效，直到
新的位置被读出。
24
初步
