位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第693页 > IXTP182N055T > IXTP182N055T PDF资料 > IXTP182N055T PDF资料1第2页
IXTA182N055T
IXTP182N055T
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
0.50
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
电阻开关时间
V
GS
= 10 V, V
DS
= 30 V，I
D
= 25 A
R
G
= 5
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60 A，注1
特征值
分钟。
65
典型值。
100
4850
954
212
36
35
53
38
114
30
32
马克斯。
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
TO- 263AA （ IXTA ）大纲
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
T
J
= 25 ° C除非另有说明）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= 0 V
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 25 A，V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 25 V, V
GS
= 0 V
70
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
182
490
1.0
A
A
V
ns
L
L1
L2
L3
L4
R
TO- 220AB （ IXTP ）大纲
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %;
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试接触
位置必须是等于或小于5mm的封装体。
引脚：
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。技术规格
提供的是从过程中的初步目标刻画收集的数据导出
工程地段;而且还可能含有预期间提供了一些资料
产品设计评估。 IXYS保留更改限制，试验条件的权利，
和尺寸，恕不另行通知。
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
7,005,734 B2
7,063,975 B2
7,071,537
