TNY253/254/255
绝对最大额定值
(1)
漏极电压.......................................... -0.3 V至700 V
Peak DRAIN Current (TNY253/4) ............400 (500) mA
(6)
Peak DRAIN Current (TNY255) ...............530 (660) mA
(6)
使能电压........................................... -0.3 V至9 V
ENABLE当前................................................ ...百毫安
旁路电压............................................ -0.3 V至9 V
1.参考源，T所有电压
A
= 25 °C.
2.通常由内部电路的限制。
3. 16"分之1案件从5秒。
存储温度...................................... -65 ℃150℃
工作结温
(2)
............... -40 150℃下
.
(3)
焊接温度................................................ 0.260 ℃，
热阻抗（ θ
JA
） ................. 70 ° C / W
(4)
, 55 °C/W
(5)
.
热阻抗（ θ
JC
） ....................................... 11 ° C / W
4. Soldered to 0.36 sq. inch (232 mm
2
), 2 oz. (610 gm/m
2
）铜包。
5. Soldered to 1 sq. inch (645 mm
2
), 2 oz. (610 gm/m
2
）铜包。
6. The higher peak drain current is allowed while the drain
voltage is simultaneously less than 400 V.
参数
符号
条件
SOURCE = 0V
;
T
J
= -40至125
°C
见图14
（除非另有规定编）
民
典型值
最大
单位
控制功能
产量
频率
最大
占空比
ENABLE引脚关断
阈值电流
使能引脚
滞环电流
使能引脚
电压
ENABLE的短期
短路电流
漏
电源电流
f
OSC
DC
最大
I
DIS
I
HYS
V
EN
I
ENSC
I
S1
I
S2
I
CH1
T
J
= 25
°C
TNY253
TNY254
TNY255
TNY253
TNY254
TNY255
40
115
66
64
-68
-68
-15
1.10
-58
-58
44
130
68
67
-50
-52
-10
1.45
-42
-45
160
170
140
215
-5.0
-6.0
-4.0
-4.8
5.6
0.60
-3.5
-4.5
-2.5
-3.3
5.8
0.72
48
140
71
69
-30
-45
-5
1.80
-25
-38
200
215
180
265
-2.0
-3.0
-1.0
-1.8
6.1
0.85
千赫
%
A
A
V
A
A
A
mA
mA
V
V
S1开放
T
J
= -40
°C
到125
°C
T
J
= 125
°C
另请注意一个
I
EN
= -25
A
V
EN
= 0 V ，T
J
= -40
°C
到125
°C
V
EN
= 0 V ，T
J
= 125
°C
TNY253
TNY254
TNY255
TNY253
TNY254
TNY255
TNY253
V
BP
= 0 V ，T
J
= 25
°C
TNY254
另请注意D，E
TNY255
TNY253
V
BP
= 4 V，T
J
= 25
°C
见TNY254
注意D，E
TNY255
V
EN
= 0 V
（ MOSFET不转换）
见注释B
ENABLE打开
（ MOSFET开关）
见注释B ，C
另请说明D
旁路引脚
充电电流
旁路引脚
电压
绕行
迟滞
10
REV ê
02/12
I
CH2
V
BP
V
前列腺增生
