LTC6804-1/LTC6804-2
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。测试条件为V
+
= 39.6V, V
REG
= 5.0V ，除非另有说明。
符号
I
泄漏（ DIG ）
V
OL （ SDO ）
V
BIAS
I
B
A
IB
V
A
V
ICMP
I
泄漏（ ICMP ）
I
泄漏（ IP / IM ）
A
TCMP
V
CM
R
IN
V
WAKE
t
住
t
准备
t
空闲
t
1/2PW(CS)
t
INV （ CS ）
t
1/2PW(D)
t
INV （ D）
t
CLK
t
1
t
2
t
3
t
4
t
5
t
6
t
7
参数
数字输入电流
数字输出低
在IBIAS引脚电压
隔离接口偏置电流
隔离接口电流增益
发射脉冲幅度
条件
CSB引脚，SCK ， SDI ， ISOMD ， SWTEN ，
A0到A3
SDO引脚沉没1毫安
READY / ACTIVE状态
空闲状态
R
BIAS
= 2K至20K
V
A
≤ 1.6V
V
A
= |V
IP
– V
IM
|
I
B
= 1毫安
I
B
= 0.1毫安
l
l
电气特性
民
典型值
最大
±1
0.3
单位
A
V
V
V
mA
毫安/ MA
毫安/ MA
V
V
A
A
V/V
V
kΩ
mV
ns
isoSPI DC规格（请参阅图16）
l
l
l
l
l
l
l
l
l
1.9
0.1
18
18
0.2
2.0
0
20
20
2.1
1.0
22
24.5
1.6
1.5
±1
±1
对ICMP V阈值，设定电压
TCMP
= A
TCMP
V
ICMP
针
ICMP的引脚V输入漏电流
ICMP
= 0V至V
REG
在IP和IM引脚漏电流
接收机门限比较器
电压增益
接收器共模偏置
接收器输入电阻
差分唤醒电压
停留时间在V
WAKE
唤醒前
发现
启动时间唤醒后检测
空闲超时时间
片选半脉宽
片选脉冲反演延迟
数据半脉冲宽度
数据脉冲反演延迟
SCK周期
SCK上升沿之前SDI建立时间
EDGE
SDI后SCK上升保持时间
EDGE
SCK低
SCK高
CSB上升沿下降沿CSB
EDGE
SCK上升沿CSB上升
EDGE
CSB下降沿到SCK上升沿
EDGE
（注4 ）
（注4 ）
t
CLK
= t
3
+ t
4
≥ 1s
t
CLK
= t
3
+ t
4
≥ 1s
（注4 ）
空闲状态下， V
IP
或V
IM
= 0V至V
REG
V
CM
= V
REG
/ 2到V
REG
– 0.2V, V
ICMP
= 0.2V至1.5V
IP / IM不开车
单端至IPA ， IMA ， IPB ， IMB
t
住
= 240ns
V
WAKE
= 200mV的
0.4
0.5
0.6
(V
REG
– V
ICMP
/ 3 - 167mV ）
l
27
200
240
35
43
isoSPI待机/唤醒规格（参见图21）
l
l
l
l
10
4.3
120
40
5.5
150
50
6.7
180
200
60
70
1
25
25
200
200
0.65
0.8
1
s
ms
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
ns
s
s
s
isoSPI脉冲时序规范（参见图19）
l
l
l
l
SPI时序要求（见图15和图20 ）
l
l
l
l
l
l
l
l
680412f
8
欲了解更多信息
www.linear.com/LTC6804-1
