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IDT77V400
单元格对齐选项
电池配置
无HEC
SAM
开始
无前置/后置小彭数据
1字节的前缀
1个字节postpended
前置2个字节
1字节的前缀和1字节postpended
postpended 2个字节
前置3个字节
前面加上2字节和1字节postpended
1字节的前缀和前缀2字节
postpended 3个字节
前置4个字节
前置3个字节， 1字节postpended
2字节的前缀和2字节postpended
1字节的前缀和postpended 3个字节
postpended 4个字节
1.
在细胞字节位置
1
随着HEC
SAM
开始
4
3
4
2
3
4
1
2
3
4
—
—
—
—
—
SAM停止
无跳
0
0
1
0
1
2
0
1
2
3
—
—
—
—
—
SAM停止
SKIP
1
1
2
1
2
3
1
2
3
—
—
—
—
—
—
SAM
停止
55
55
0
55
0
1
55
0
1
2
55
0
1
2
3
4
3
4
2
3
4
1
2
3
4
0
1
2
3
4
字节的位置是十进制值。
内存刷新要求
该IDT77V400的缓冲存储器必须由控制逻辑电路进行刷新周期，以保证数据的保留。此表定义了
最大刷新间隔;即，刷新命令（参见"Control接口Command"表）必须在被执行的至少2048倍
每个区间。刷新率号使用的是36MHz的SCLK计算。刷新只需要为其使用扩展电池的存储系统由于
排队上面155Mbps的要求。
最大刷新
间隔
32ms
16ms
77V500
1
init命令值
（十进制）
9
9
77V500
1
init命令值
（十六进制）
1FF
1FF
GRADE
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产业
1.
此信息被提供用于使用IDT77V500开关控制器的应用程序。
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2001年3月31日
