LTC3838-2
手术
（参见原理图）
主控制回路
该LTC3838-2是一个受控接通时间，谷值电流
模式降压型DC / DC双通道双控制器
操作相。每个通道驱动两个主
和同步N沟道MOSFET 。两个信道
既可以配置为两个独立的调节
输出，或者组合成单个输出。
高端MOSFET接通确定的时间间隔
通过单次触发定时器。单触发计时器的持续时间是
控制，以保持固定的开关频率。作为
高端MOSFET关断时，底部MOSFET导通
在经过短暂的延迟。的延迟，或死区时间，是为了避免
顶部和底部的MOSFET是在同一时间，
造成穿通电流从V
IN
直接动力
地面上。下一个开关周期开始时的电流
租金比较，我
CMP
，感测电感电流下降
下面由电压在ITH和V设置触发电平
RNG
销。底部MOSFET被立即关闭，
高端MOSFET再次，重新启动单次触发定时器
并重复该循环。为了避免直通
目前，也有前一小死区时间延迟
高端MOSFET导通。此时，电感电流
房租打了“谷” ，并开始再次上升。
电感电流通过感测电压确定
SENSE之间
+
和SENSE
–
，或者通过使用一个明确的
电阻器串联连接的电感器或通过隐式
感应电感的直流电阻（ DCR ）的压降
通过电感两端连接的RC滤波器。该
目前比较器触发电平，我
CMP
正比
向处的电压ITH销，具有零电流阈值
对应0.8V左右的电压ITH 。
误差放大器（ EA ）来调整这个ITH电压通过比较
荷兰国际集团的反馈信号（V
FB
）来自于所述差
放大器（ DIFFAMP ）到内部或外部的参考
电压。该ITH电压控制，通过调整输出
中的电流的电感器。输出电压被调节，以便
该反馈电压等于参考。如果
负载电流增大/减小，它会导致一个短暂的
下降/上升相对于差分电压反馈
的参考。在EA然后移动ITH电压或电感
器谷值电流给定值，高/低到平均
电感电流再次匹配负载电流，从而使
的输出电压又回到了被调节电压。
该LTC3838-2设有检测瞬变（ DTR ）引脚
检测“负荷释放” ，或一过性，其中负载电流
突然下降时，通过监视的一阶导数
ITH电压。当检测到时，底栅（BG）被接通
断和电感电流流过体二极管中
下面的MOSFET ，使SW节点电压
低于PGND由体二极管的正向传导
电压。这将创建一个更负的电压差
(V
SW
– V
OUT
）电感两端，使电感
电流以更快的下降到零，这样就产生更小的过冲
在V
OUT
。见负载瞬态释放检测应用
信息系统蒸发散的细节。
差分输出检测和外部参考
这双控制器的两个通道均有差异
输出电压感测。输出电压是通过电阻
外部划分以创建一个反馈电压为
控制器。如图所示的功能框图，通道1
使用外部2-电阻分压器，和一个内部
单位增益差分放大器（ DIFFAMP ）转换
所述差分反馈信号，以将单端的内部
反馈电压V
FB1
= V
OUTSENSE1+
– V
OUTSENSE1–
相对于SGND 。随着外部电阻二
vider ，V
OUT1+
– V
OUT1–
= V
FB1
(R
FB1
+ R
FB2
)/R
FB1
.
通道2具有产生一种独特的反馈放大器
V
FB2
= 2 V
DFB2+
– V
DFB2–
。其外部反馈网络
需要第三电阻连接到外部参考
远程地面（V
REF2–
） 。第三电阻器必须具有一个
值相等的两个分压器并联值
电阻R
DFB1
和R
DFB2
使V
OUT2+
– V
OUT2–
=
(V
FB2
– V
REF2–
) (R
DFB1
+ R
DFB2
)/R
DFB1
.
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