CMOS设备的注释
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ESD防护措施用于半导体
注意：
强电场，当暴露于一个MOS器件，可引起破坏栅氧化物和
从而影响设备的运行。因此必须采取措施制止产生的静电
尽可能地，立即释放一次出现时。环境控制
要足够。如果空气干燥，应当使用增湿器。建议避免使用
绝缘体，因为它们容易产生静电。半导体器件必须被储存和运输
在防静电容器，抗静电屏蔽袋或导电材料。所有的测试和测量
工具，包括工作台和工作面必须良好接地。操作人员应使用接地
腕带。半导体器件不能用手直接接触。类似的防范措施
应采取的PW板就可以了半导体器件。
2
操作处置未使用的输入引脚的CMOS
注意：
对于CMOS设备的输入端未连接可导致误操作。如果未提供连接
到输入引脚，它可能是一个内部输入电平会由于噪声产生等，从而
从而导致故障。 CMOS器件的操作特性与Bipolar或NMOS设备。输入电平
CMOS的设备必须是固定的高或低使用上拉或下拉电路。每一个未使用
引脚应连接到V
DD
或GND之间的电阻，如果考虑到有可能
作为一个输出引脚。所有的处理涉及到未使用的引脚必须由设备来判断设备和
规范说明设备。
3
初始化之前的状态的MOS器件
注意：
上电，并不一定限定MOS器件的初始状态。 MOS的生产工艺
不定义该设备的初始操作状态。紧接之后的电源是
导，具有复位功能的装置还没有被初始化。因此，上电呢
不能保证输出引脚的电平， I / O设置和寄存器的内容。设备直到初始化
接收复位信号。复位操作后必须立即开机的设备执行
具有复位功能。
IE总线是NEC Corporation的注册商标。
注意事项：
购买NEC的我
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C组分传达了飞利浦I根据许可
2
C专利使用这些
在I分量
2
空调系统，该系统提供符合我
2
C标准规范为
飞利浦定义。
用户手册U12326EJ4V0UM
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