LTC4226
应用信息
12V
R
S1
5m
Q1
FDMS86500DC
或Si7164DP
R
G1
10
C
G1
10nF
C
T1
33nF
C
T2
33nF
R
G2
10
C
G1
10nF
5V
连接器连接器
1
2
+
C1
100F
Z1
SMCJ15A
12V
8.9A
OUT
+
V
CC1
ON1
FAULT1
CLS
故障
ON2
CLS
FAULT2
ON2
V
CC2
SENSE1 GATE1
OUT1
FTMR1
C
L1
100F
LTC4226-1
GND
FTMR2
GND
SENSE2 GATE2
OUT2
C
L2
220F
+
C2
220F
Z2
SMCJ7V0A
R
S2
10m
Q2
FDMS86500DC
或Si7164DP
主机板
连接器
插件
卡或
连接器
图4.双通道控制器带有浪涌电流控制，但没有连接启用
关断序列
MOSFET开关可以通过各种CON组被关闭
ditions 。一个正常的关断是由ON引脚将启动
低。此外，断路器/电流限制超时会
导致MOSFET关闭，因为意志V
CC
下面滴
其欠压锁定电压V
CC （ UVL ）
。另外，
该
故障
引脚可以从外部拉低逼门
关机。在所有这些情况下， MOSFET是
与具有3mA的电流从门拉下关闭。
大约从门电流流2.85毫安至OUT
而其余流入到GND。当GATE电压
低于OUT引脚，门将拉向了GND
一个150μA的电流源。
浪涌电流控制
在大多数应用中，保持时的浪涌电流的电流
限制是可以接受的启动方法，如果它不跳闸
故障定时器FTMR和MOSFET具有足够的安全
营业利润率。为了保持浪涌检测电阻电压
下面，断路器的阈值电压V
CB
中，电阻器
R
G
和一个电容器C
G
可以在GATE之间插入
引脚和接地，如图4电容器C
G
同
接地端子和布线电感可以导致
以MOSFET的寄生振荡。电阻R
G
间
10Ω和100Ω通常足以防止寄生
振荡。
G
还允许C
G
充当电荷储
在电流限制，同时保持快速下拉
闸门。电容C
G
的尺寸应以限制
浪涌电流低于断路器跳闸电流。为
含铅MOSFET与散热器，一个额外的10Ω电阻
（如在图13中示出用R 1） ，可靠近加到
MOSFET栅极管脚，以防止可能出现的寄生振荡
由于更多的跟踪/导线的电感和电容。
该MOSFET由9μA电流源充电接通
了大门。当门电压达到MOSFET的
阈值电压的MOSFET导通，信号源
电压跟随栅极电压，因为它增加。门
电压上升斜率9μA / C
G
和供给浪涌
电流为：
I
侵入
=
C
L
9A
C
G
需要注意的是在整个MOSFET开关上的电压可以
时的浪涌电流控制大。如果冲击电流是
下面，断路器的阈值，故障定时器FTMR
没有被激活。在像火线，其中一些应用程序
加强瞬变可能发生的大供电电压
限流放大器瞬间激活，并且
门被部分排出。当开关电流瀑布
下面的电流限制时，GATE会继续充电
在上升的供给冲击控制率。
4226f
12
+
5V
4.45A
OUT
4226 F04
(
1
)
