LTC3863
应用信息
如果占空比低于什么可被容纳
由最小导通时间时，控制器将跳过周期。
然而，输出电压将继续调节。
效率方面的考虑
的开关稳压器的百分效率等于
输出功率由输入功率乘以100％分。
重要的是要分析单个损耗，以确定是非常有用的
主要的贡献者，因此，效率在哪里
可以改进。 ％的效率可
表示为：
％效率= 100％ - （L1 + L2 + L3 + ...）
其中L1 ，L2，L3 ，等等，都是个别损失以每个
百分比输入功率。
虽然在电路中产生的所有耗能元件
损失，四个主要来源占大部分的损失
在LTC3863应用电路。
1.传导损耗：导通损耗的产生
P沟道MOSFET
DS （ ON）
，电感电阻DCR ，
电流检测电阻R
SENSE
，以及输入和输出
电容的ESR 。电流通过DCR是连续的。
通过两个P沟道MOSFET的电流和
肖特基二极管是不连续的。以下公式
灰可以用来确定总的导通损耗
(P
COND
）在连续导通模式：
I
2
I
2
P
COND
≈
输出2
+
L
12
(
1–D
)
R
DCR
+D
R
DS （ ON）
+R
SENSE
+R
ESR （ CIN ）
+
(
1–D
)
R
ESR （ COUT ）
2.过渡损耗： P沟道的过渡损失
操作只有当MOSFET变得显著
在高输入电压（典型地为20V或更高。 ）的
P沟道转换损耗（P
MOSTRL
） ，可以决定
从下面的等式决定：
F
磨坊主
(
V
IN
+|
V
OUT
|
+V
D
)
P
PMOSTRL
=
2
I
R
DN
R
UP
OUT
+
1–D
(
V
IN
– V
帽
)
– V
磨坊主
V
磨坊主
2
3.栅极充电损耗：充电和放电门
MOSFET的将导致有效栅charg-
ING电流。每次P沟道MOSFET的栅极是
从低再次切换到高和低时，一包
充电，DQ ，来自全国各地V电容移动
IN
– V
帽
并且然后从地面通过内部V补充
帽
调节器。所得dQ的/ dt电流是一个电流输出
V的
IN
流到地面。在总功率损耗
确定控制器，包括栅极充电损耗
通过下面的等式：
P
CNTRL
= V
IN
(I
Q
+ F Q
G（ PMOSFET ）
)
4.肖特基损失：肖特基损失是独立的
责任因素。的关键组件是肖特基
正向电压作为结温的函数
和电流。肖特基功率损失是由给定的
公式：
P
二极管
= I
OUT
V
D（ IOUT ， TJ ）
当进行调整，以提高效率，在 -
把电流的变化效率的最佳指标。
如果变化引起的输入电流减小，则
英法fi效率有所提高。如果在输入无变化
当前，存在效率没有变化。
(
)
3863f
欲了解更多信息
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