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KAB0xD100M - TxGP
待机模式状态机（ UtRAM ）
CS
U
=V
IH
电源
初始状态
（等待为200ps ）
CS
U
=V
IL
， UB和/或LB = V
IL
ZZ≥V
IH
CS
U
=V
IH
ZZ≥V
IH
ZZ≥V
IL
深层动力
Down模式
CS
U
=V
IH
， ZZ = V
IH
待机
模式
SEC只
MCP内存
活跃
ZZ≥V
IL
读操作两次
待机模式特征（ UtRAM ）
电源模式
待机
深度掉电
存储器单元中的数据
有效
Invaild
待机电流（ μA ）
100
10
等待时间（μs ）
0
200
电容
(T
A
= 25
°C,
V
CC
= 2.9V ， F = 1.0MHz的）
项
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
28
30
单位
pF
pF
注意：
电容周期性采样，而不是100 ％测试。
NAND闪存有效的块
参数
有效的块数
符号
N
VB
民
1004
典型值。
-
最大
1024
单位
块
注意：
1. NAND
FL灰内存
可能包括无效块时，先发货。附加的无效块可以发展而被使用。数
有效块的呈现视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块
.
不要试图访问这些无效块编程和擦除。
参考附件技术说明中的无效块的适当的管理。
2. 1号地块，这是摆在00H块地址，是完全有保证是一个有效的块，不需要纠错。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
价值
0V至Vcc
5ns
的Vcc / 2或VCCQ
U
/2
C
L
= 30pF的
注意：
AC测试输入在Vcc驱动
R
， Vcc的
F
或VCC
U
为一个逻辑"1"和0V的逻辑"0".输入定时开始，并且输出定时结束时，
AT VCC
R
/ 2 ， Vcc的
F
/ 2或VCCQ
U
/ 2 。输入上升和下降时间（ 10 ％ - 90 ％ ） <5ns 。最坏的情况下速度的条件是当Vcc
R
= VCC
R
敏
VCC
F
= VCC
F
分或VCCQ
U
VCCQ
U
分钟。
VCC
Vcc/2
0V
输入输出&
测试点
设备
的Vcc / 2或VCCQ
U
/2
C
L
* C
L
= 30pF的范围包括
和夹具电容
输入脉冲和测试点
输出负载
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修订1.11
2003年8月
