位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1103页 > HY62UF08401C-DSI > HY62UF08401C-DSI PDF资料 > HY62UF08401C-DSI PDF资料1第8页
HY62UF08401C系列
注意事项：
1.低/ WE和低/ CS重叠期间，写操作。
2. tWR的是从/ CS较早测量或/ WE变高到写周期的结束。
3.在此期间， I / O引脚处于输出状态，以使相位相反的输入信号
输出不能被应用。
4.如果同时发生的/ WE低电平的跳变或之后的/ CS为低电平转换
/ WE的转换，输出将保持在高阻抗状态。
5.问（数据输出）是相同的相位与该写周期中的写数据。
6.问（数据输出）的下一个地址的读数据。
7.转变是从稳态测量+ 200mV的。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
8 / CS高为待机，低主动
数据保留电特性
T
A
= -40 ° C至85°C
符号
参数
V
DR
VCC为数据保留
测试条件
/ CS >为VCC - 0.2V ，
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
V
IN
< VSS + 0.2V
Vcc=1.5V,
/ CS >为VCC - 0.2V或
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
V
IN
< VSS + 0.2V
民
1.2
典型值
1.
-
最大
3.3
单位
V
SL
LL
-
-
0
0.1
0.1
-
-
3
10
-
-
uA
uA
ns
ns
ICCDR
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
营业恢复时间
TCDR
tR
见数据保持时序图
TRC
注意事项：
1.典型的值是T的条件下
A
= 25°C.
2.典型值进行采样，而不是100 ％测试
数据保持时序图
VCC
2.7V
TCDR
数据保持方式
tR
VIH
VDR
/ CS >VCC - 0.2V
/ CS
VSS
Rev.02 / Jun.01
7
