TPA0223
2 -W单声道音频功率放大器
带耳机驱动器
SLOS277B - 2000年1月 - 修订2001年4月
应用信息
输入电容C
i
在典型的应用程序的输入电容C
i
，需要允许放大器偏置的输入信号的
适当的直流电平为最佳操作。在这种情况下，C
i
和放大器的输入电阻R
I
，形成了
高通滤波器，在式（4）中确定的转角频率。
-3分贝
f
C（高通）
1
+
2
p
R C
(4)
I i
fc
C的值
i
重要的是要考虑的，因为它直接影响了电路的低音（低频）的性能。
考虑这个例子中，R
I
为710 kΩ和规范要求平坦的低频响应低至40赫兹。
式（2）被重新配置为式（5） 。
C
i
+
2
p
1 FC
R
I
(5)
在本实施例中，C
I
5.6 nF的这么一会可能会选择在5.6 nF的1范围内的值
F.
进一步
考虑到这些电容器是从通过输入网络的输入源的泄漏路径（C
i
）及
反馈网络的负载。该漏电流在输入到放大器产生一个直流偏置电压
降低了有用的扩展空间，特别是在高增益应用。为此低泄漏钽或
陶瓷电容器是最好的选择。当极化电容器时，电容器的正极侧
应面对在大多数应用中作为DC电平在放大器输入有被保持在V
DD
/ 2，这是可能的更高
比源的直流电平。需要注意的是它以确认应用程序中的电容器的极性是很重要的。
电源去耦，C
(S)
该TPA0223是一种高性能的CMOS音频放大器，需要足够的电源去耦
以确保输出的总谐波失真（THD）是尽可能的低。电源去耦也
防止振荡的放大器和扬声器之间的长引线长度。最佳解耦
通过使用不同类型的针对不同类型的电源引线的噪声的两个电容器来实现的。
对于较高频率的瞬变，尖峰或上线的数字散列，良好的低等效串联电阻
（ ESR）的陶瓷电容器，通常为0.1
F
置于尽可能接近到设备V
DD
铅，效果最好。为
滤除低频噪声信号，较大的铝电解10电容器
F
以上放置在靠近
音频功率放大器建议。
轨旁路电容C
（ BYP ）
中梁旁路电容C
（ BYP ）
，最关键的是电容，并提供几个重要的功能。
在从关断模式下，C启动或恢复
（ BYP ）
决定了放大器启动时的速度。
第二个功能是降低由电源产生的噪声引起的耦合到所述输出驱动器
信号。这个噪声是来自中梁产生电路内的放大器，它显示为降级
PSRR和THD + N 。
旁路电容C
（ BYP ）
， 0.47值
F
1
F
陶瓷电容或钽电容的低ESR电容推荐
对于最好的THD和噪声性能。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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