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AT45DB081D
表18-3 。
符号
I
DP
I
SB
DC特性
参数
深度掉电电流
待机电流
条件
CS ， RESET ， WP = V
IH
，所有
在输入CMOS电平
CS ， RESET ， WP = V
IH
，所有
在输入CMOS电平
F = 20MHz的;我
OUT
= 0毫安;
V
CC
= 3.6V
工作电流，读
手术
F = 33MHz的;我
OUT
= 0毫安;
V
CC
= 3.6V
F = 50MHz的;我
OUT
= 0毫安;
V
CC
= 3.6V
F = 66MHz的;我
OUT
= 0毫安;
V
CC
= 3.6V
民
典型值
15
25
7
8
10
11
12
最大
25
50
10
12
14
15
17
1
1
V
CC
x 0.3
V
CC
x 0.7
I
OL
= 1.6毫安; V
CC
= 2.7V
I
OH
= -100μA
V
CC
- 0.2V
0.4
单位
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
I
CC1(1)
I
CC2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
有功电流，编程/擦除
手术
输入负载电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
= 3.6V
V
IN
= CMOS电平
V
I / O
= CMOS电平
1. I
CC1
在缓冲区读为20mA最大为20MHz @
2.所有输入（ SI ， SCK ， CS ＃ ， WP ＃和RESET ＃ ）由设计保证是5V宽容
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3596O–DFLASH–1/2013
