位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第730页 > AT45DB081D-SSU-SL954 > AT45DB081D-SSU-SL954 PDF资料 > AT45DB081D-SSU-SL954 PDF资料3第39页
AT45DB081D
22.写操作
下面的框图和波形说明各种写入序列可用。
闪存阵列
PAGE （ 256 / 264字节）
BUFFER 1 TO
主内存
页编程
BUFFER 2 TO
主内存
页编程
缓冲器1 （ 256 / 264字节）
缓冲1
写
缓冲液2 （ 256 / 264字节）
缓冲区2
写
I / O接口
SI
22.1
缓冲区写
完成写入缓冲区选择
CS
二进制文件页面大小
16 DO NOT CARE + BFA7 ， BFA0
SI （输入）
CMD
X
X ... X， BFA8
BFA7-0
n
n+1
最后字节
22.2
缓冲区到主存储器页编程（数据从缓冲区烧写到Flash首页）
启动自定时擦除/编程操作
CS
二进制文件页面大小
A19 - A8 + 8无关位
SI （输入）
每个转换
代表8位
CMD
PA10-7
PA6 ，X
XXXX XX
N = 1个字节的读
N + 1 = 2个字节的读
39
3596O–DFLASH–1/2013
