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24.3
连续阵列读取（低频：操作码03H ）
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
SCK
操作码
地址位A19 -A0
0
1
1
A
最高位
SI
0
最高位
0
0
0
0
A
A
A
A
A
A
A
A
数据字节1
SO
高阻抗
D
最高位
D
D
D
D
D
D
D
D
最高位
D
24.4
CS
主存储器页读（操作码： D2H ）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
29 30 31 32 33 34
62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72
SCK
操作码
地址位
0
1
0
A
最高位
32无关位
A
A
A
X
最高位
SI
1
最高位
1
0
1
0
A
A
A
A
A
X
X
X
X
X
数据字节1
SO
高阻抗
D
最高位
D
D
D
D
D
D
D
D
最高位
D
24.5
缓冲区读取（操作码D4H或D6H ）
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48
SCK
操作码
地址位
BINARY PAGE SIZE = 16 DO NOT CARE + BFA7 ， BFA0
标准数据闪存页面大小=
15 ，不要在乎+ Bfa8 ， BFA0
不关心
X
X
X
X
X
X
X
SI
1
最高位
1
0
1
0
1
0
0
X
最高位
X
X
X
X
X
A
A
A
X
最高位
数据字节1
SO
高阻抗
D
最高位
D
D
D
D
D
D
D
D
最高位
D
42
AT45DB081D
3596O–DFLASH–1/2013
