AON6532
30V N通道AlphaMOS
概述
最新的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术
非常低的RDS（on ），在4.5V
GS
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
68A
< 5.0mΩ
< 9.0mΩ
应用
在电脑，服务器和POL DC / DC转换器
在电信和工业隔离DC / DC转换器
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
DFN5X6
顶视图
底部视图
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
G
S
PIN1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.05mH
V
DS
穗
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
68
43
170
27
22
32
26
36
35.5
14
5.7
3.6
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
V
穗
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
100ns
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
A
mJ
V
W
W
°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
18
40
2.9
最大
22
55
3.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
REV0 ： 2012年9月
www.aosmd.com
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