CS51031
故障时间的慢放电时间的总和
快速放电时间和充电时间。它是由主导
慢放电时间。
第一个参数是慢放电时间，它是时间
对于CS电容从2.4 V放电至1.5 V ，是
由下式给出：
tSlowDischarge （T ）
+
CS
(2.4 V
*
1.5 V)
IDISCHARGE
在V
CC
和V
C
销。该电容还必须确保
在V
CC
保持高于UVLO电压的情况下
输出短路。至少100低ESR电容
F
还是不错的。陶瓷表面贴装电容也应
连接V之间
CC
和地面过滤高频
噪声。
10 ） MOSFET选择
在那里我
放电
6.0
A
典型的。
tSlowDischarge （T ）
+
CS
1.5
105
发生在快速放电时出现故障是第一
检测到。在CS电容放电，从2.5 V至2.4 V.
tFastDischarge （T ）
+
CS
(2.5 V
*
2.4 V)
IFastDischarge
在那里我
FastDischarge
66
A
典型的。
tFastDischarge （T ）
+
CS
1515
该CS51031驱动一个P沟道MOSFET 。在V
门
针摆幅为GND到V
C
。用于PFET的类型
取决于操作条件，但对于输入电压
小于7.0伏的逻辑电平场效应管应该被使用。
用连续漏极电流PFET （我
D
）等级更高
比所需的最大输出电流。
栅极至源极电压V
GS
和漏到
源极击穿电压应根据选择
输入电源电压。
的功耗，由于导通损耗是
由下式给出：
PD
+
IOUT2
RDS （ ON）
D
充电时间是时间， CS从1.5 V充电
至2.5 V.
tCharge （T ）
+
CS
(2.5 V
*
1.5 V)
ICHARGE
哪里
RDS（ON）是在TJ的值
+
100°C
在那里我
收费
是264
A
典型的。
tCharge （T ）
+
CS
3787
该PFET的因开关的功率耗散
损失由下式给出：
PD
+
0.5
VIN
IOUT
（ TR）的
FSW
故障时间由下式给出：
TFAULT
+
CS
(3787
)
1515
)
1.5
(1.55
105)
105)
其中T
r
=上升时间。
11 ）二极管的选择
TFAULT
+
CS
该电路
TFAULT
+
0.1
10
*6
1.55
105
+
15.5
ms
CS的一个较大的值会增加故障超时时间
而且会增加软启动时间。
9 ）输入电容
反激式或续流二极管应该是肖特基二极管
因为它的快速开关能力和低正向电压
下降。额定电流至少必须等于
最大输出电流。击穿电压应
至少有20 V这12 V应用程序。
二极管的功耗由下式给出：
PD
+
IOUT
VD
(1.0
*
分）
输入电容降低了从吸收的峰值电流
输入电源，并减少了噪声和纹波电压
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