位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第871页 > EDJ1116EJBG-JS-F > EDJ1116EJBG-JS-F PDF资料 > EDJ1116EJBG-JS-F PDF资料1第6页
EDJ1108EJBG ， EDJ1116EJBG
1.
电气条件
所有电压参考VSS （ GND）
执行上电和初始化顺序正确的设备操作之前完成。
1.1
绝对最大额定值
表1 ：绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
参考电压
参考电压DQ
储存温度
功耗
短路输出电流
注：1 。
符号
VDD
VDDQ
VIN
VOUT
VREFCA
VREFDQ
TSTG
PD
IOUT
等级
0.4
到1.975
0.4
到1.975
0.4
到1.975
0.4
到1.975
0.4
0.6
×
VDD
0.4
0.6
×
VDDQ
55
+100
1.0
50
单位
V
V
V
V
V
V
°C
W
mA
笔记
1, 3
1, 3
1
1
3
3
1, 2
1
1
2.
3.
应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这
是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件的说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
VDD和VDDQ必须在彼此的时候都为300mV ;和VREF必须不大于0.6
×
VDDQ ，当
VDD和VDDQ的是小于500mV的; VREF可以等于或小于300mV的。
注意：该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
1.2
工作温度条件
表2 ：工作温度条件
参数
工作温度
注：1 。
2.
3.
符号
TC
等级
0至+95
单位
°C
笔记
1, 2, 3
工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
正常温度范围规定，所有的DRAM规格将支持温度。中
操作中，必须保持在0 ℃至+ 85 ℃下的DRAM的情况下，温度在所有操作条件下。
有些应用需要在+ 85° C和+ 95°C的情况下扩展级温度范围DRAM的操作
温度。规格齐全，保证在这个范围内，但以下附加条件：
一）刷新命令必须在频率提高一倍，从而降低刷新间隔tREFI到3.9μs 。 （这双
刷新要求不得申请某些设备。 ）
b）若需要，在扩展温度范围自刷新操作，则它是强制性的，以要么使用手册
自刷新模式，支持扩展温度范围的能力（ MR2位[ A6 ， A7 ] = [ 0,1 ] ），或启用自动可选
自刷新模式（ MR2的位[ A6，A7 ] = [ 1,0 ]）。
初步数据表E1949E11 （ 1.1版）
6
