AOD4S60/AOI4S60/AOU4S60
600V 4A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
该AOD4S60 & AOI4S60 & AOU4S60已
采用先进的制造
αMOS
TM
高压
被设计为提供高层次的过程
性能和鲁棒性的开关应用。
通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
产品概述
V
DS
@ T
， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
700V
16A
0.9
6nC
1.5J
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO252
DPAK
顶视图
D
底部视图
D
顶视图
TO251A
IPAK
底部视图
TO251
D
顶视图
底部视图
S
G
AOD4S60
S
G
D
G
S
S
G
D
G
D
S
G
S.D。
G
S
AOI4S60
AOU4S60
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
最大
600
±30
4
3
16
1.6
38
77
56.8
0.45
100
20
-55到150
300
典型
45
--
1.8
最大
55
0.5
2.2
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
D，F
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
K
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
REV3 ： 2012年1月
www.aosmd.com
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