位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1308页 > SUD06N10-225L > SUD06N10-225L PDF资料 > SUD06N10-225L PDF资料6第4页
SUD06N10-255L
汽车N沟道
100 V（ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2.5
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 3 A
源极 - 漏极二极管正向电压
10
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2.0
I S
源电流（ A）
1.5
T
J
= 175_C
1.0
T
J
= 25_C
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75 100 125
T
J
结温（ ° C）
150
175
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
源极到漏极电压（V ）
1.2
热额定值
雪崩的最大漏电流与外壳温度
8
10
安全工作区
10
ms
*仅限为r
DS （ ON）
6
I D
漏电流（ A）
I D
漏电流（ A）
100
ms
4
1
1毫秒
2
T
C
= 25_C
单脉冲
10毫秒
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
外壳温度（ ° C）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
100毫秒
1秒，直流
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
归瞬态热阻抗，结至外壳
0.1
0.1
0.02
0.05
单脉冲
0.01
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
100
4/5
www.freescale.net.cn
