SQD40N06-14L
汽车N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
100
V
GS
= 10 V直通5 V
80
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
100
80
V
GS
= 4 V
60
60
40
40
T
C
= 25 °C
20
V
GS
= 3 V
20
T
C
= 125 °C
0
0
3
6
9
12
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
15
0
0
1
2
3
T
C
= - 55 °C
4
5
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
输出特性
传输特性
80
T
C
= - 55 °C
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.05
g
fs
- 跨导（S ）
64
0.04
T
C
= 25 °C
48
0.03
32
T
C
= 125 °C
16
0.02
V
GS
= 4.5 V
0.01
V
GS
= 10 V
0
0
8
16
24
I
D
- 漏电流（ A）
32
40
0
0
12
24
36
48
60
I
D
- 漏电流（ A）
跨
2500
10
导通电阻与漏电流
I
D
= 40 A
V
GS
-
栅极 - 源
电压（V）的
2000
C
国际空间站
- 电容（pF ）
8
V
DS
= 30 V
6
1500
1000
4
500
C
RSS
0
0
10
C
OSS
2
0
20
30
40
50
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
60
0
5
10
15
20
25
Q
g
- 总
门
费（ NC ）
30
35
电容
栅极电荷
3/9
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